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EM6J1
Data Sheet
1.0
V DS = -10V
1
V GS =0V
5
Ta=25°C
Pulsed
Pulsed
4
3
I D = -0.2A
Pulsed
Ta=-25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
2
I D = -0.01A
Ta=125°C
Ta=-25°C
1
0.1
0.01
0
0.01
0.1
1
0
0.5
1
1.5
0
2
4
6
8
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.10 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.11 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.12 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
Ta=25°C
5
1000
Ta=25°C
100
t d (off)
t f
V DD = -10V
V GS =-4.5V
R G =10 ?
Pulsed
4
100
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
3
10
2
Ta=25°C
10
1
t r
t d (on)
1
0
V DD = -10V
I D = -0.2A
R G =10 ?
Pulsed
1
Coss
Crss
0.01
0.1
1
0
0.5
1
1.5
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.13 Switching Characteristics
Measurement circuit
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.14 Dynamic Input Characteristics
V GS
10%
Pulse Width
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.15 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
V GS
I D
V DS
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
R L
V DS
10%
9 0%
10%
90%
V DD
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
V GS
I D
V DS
Q g
I G(Const.)
D.U.T.
R L
V GS
R G
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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